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近年来，存储芯片行业的市场动态发生了相当大的转变。三星电子公司曾经是该领域无可争议的*，但现在却落伍于规模较小的竞争对手 SK 海力士。两家公司之间不停扩大的差距是来自那里？

01 争做CXL游戏规则改变者

造成这种差距的一个主要因素是投资者对SK 海力士作为潜在人工智能 (AI) *的信心增强。公司一直起劲拓展在人工智能行业的结构，吸引了来自各个领域的巨额投资。SK 海力士的尖端研发事情和战略互助同伴关系展现了对推进人工智能手艺的坚定答应。由于对其高带宽内存 (HBM) 芯片的高需求，其股价今年飙升了 67%。

另一方面，三星股价仅上涨了24%，相对微薄。业内人士剖析，为了在存储芯片领域举行有用竞争，三星需要重新思量其战略，并确保其创新与行业的快速提高保持一致。

争取CXL市场的焦点是DRAM，三星和SK海力士是全球*和第二大存储器厂商，自然不会错过CXL这片“新蓝海”，现在都在起劲开发CXL手艺，以提高服务器DRAM销量。CXL内存模块理论上在服务器中可以实现“无限”的DRAM扩展，而且还能统一差异信息处置装备直接的通讯协议，简化了数据处置、削减了数据瓶颈、提高了能源效率，解决了现有盘算机尺度里DRAM的物理可扩展性问题。

三星于 2021 年 5 月开发了业界*基于 CXL 的 DRAM 手艺，引领下一代内存的商业化。开发两年后，三星宣布设计最先大规模生产基于CXL的 128GB DRAM。

三星最近在 HBM 芯片开发方面落伍于 SK海力士。他们示意，为了阻止在 CXL 开发中重蹈覆辙，这家科技巨头似乎正在起劲争取在市场上占有主导职位。将起劲行使 CXL 内存模块 (CMM) 等新型接口，这将有助于实现内存带宽和容量可以凭证运营需求无缝扩展。

今年5月，三星发出其*支持Compute Express Link（CXL）2.0的128GB DRAM。同时，三星与英特尔亲热互助，在英特尔至强平台上取得了具有里程碑意义的希望。“作为CXL同盟的董事会成员，三星电子在CXL手艺上一直处于前沿职位，”三星电子新营业企划副总裁Jangseok Choi示意，“这一突破性的希望强化了我们通过与全球各地的数据中央、企业级服务器和芯片公司互助，进一步扩大CXL生态系统的刻意。”

CXL 2.0是三星有史以来*个支持内存池（Pooling）的产物。内存池是一种内存治理手艺，它将服务器平台上的多个CXL内存块绑定在一起，形成一个内存池，使多个主性能够凭证需要从池中动态分配内存。这项新手艺使客户尽可能的降本增效，从而辅助企业将有限的资源重新投资于增强服务器内存中去。

三星电子设计于今年年底之前最先量产这一最新的CXL 2.0 DRAM，并准备推出多种容量的产物，以知足快速转变的下一代盘算市场，进一步加速扩大CXL生态系统。

CXL作为下一代内存可扩展装备，能够为高性能服务器系统中与CPU一起使用的加速器、DRAM和存储装备提高效率。由于它与主内存（main DRAM）配合使用时可扩大带宽和容量，该手艺的提高有望在人工智能（AI）和机械学习（ML）等焦点手艺，对处置高速数据的需求极大增添的下一代盘算市场引起惊动。

今年10月中旬，SK海力士与数据处置平台公司HazelCast互助，宣布了Compute Express Link（CXL）手艺应用白皮书。SK海力士宣布的实证效果解释，通过使用下一代CXL内存，可以将数据处置能力提高40%以上。

SK海力士通过扩展 CXL 内存的带宽，系统处置速率提高了 40%，跨越了仅使用 DRAM 的系统。此外，延迟时间提高了 30-50%。这解释，通过同时使用 CXL 内存，可以节约 DRAM 的高成本。传统上，差其余装备有差其余毗邻方式。然而，CXL 统一了多个接口，允许直接装备毗邻和共享内存。这不仅扩展了内存容量和性能，还解决了与数据处置延迟和速率降低相关的问题。

2022年8月，SK海力士率先开发了基于DDR5 DRAM的CXL内存样品。5月，在美海内华达州拉斯维加斯举行的IT展会Dell Technologies World (DTW) 2023上，也展示了真实服务器中的CXL内存。

CXL内存市场尚未完全成熟，由于能够行使CXL内存的CPU尚未推出。不外，英特尔预计将在明年上半年宣布其*商用服务器CPU，名为Sierra Forest。在此之前，三星电子和 SK 海力士设计于今年晚些时刻生产下一代 CXL 2.0 内存。

这场战争，仍在连续。

02 闪存手艺：层数较量

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2023年8月9日，SK海力士宣布，通过321层4D NAND样品的宣布，正式成为业界首家正在开发300层以上NAND闪存的公司。

SK海力士美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的“2023闪存峰会”上宣布了321层1Tb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND闪存开发的希望，并展示了现阶段开发的样品。

作为业界首家宣布300层以上NAND详细开发希望的公司，SK海力士宣布，将进一步完善321层NAND闪存，并设计于2025年上半期最先量产。SK海力士相关认真人示意：以正在量产的*238层NAND积累的手艺履历为基础，公司正在有序举行321层NAND的研发。

321层1Tb TLC NAND的效率比上一代238层512Gb提高了59%。这是由于数据存储的单元可以以更多的单片数目客栈至更高，在相同芯片上实现更大存储容量，进而增添了单元晶圆上芯片的产出数目。

此前SK 海力士在通告中称，已最先量产 238 层 4D NAND 闪存，并正在与生产智能手机的外洋客户公司举行产物验证。

SK 海力士强调：“公司以 238 层 NAND 闪存为基础，乐成开发适用于智能手机和 PC 的客户端 SSD（Client SSD）解决方案产物，并在 5 月已最先量产。公司在 176 层甚至在 238 层产物，都确保了成本、性能和品质方面的天下*竞争力，期待这些产物在下半年能够起到改善公司业绩的牵引作用。”

据先容，238 层 NAND 闪存作为天下上最小体积的芯片，生产效率比上一代的 176 层提升了 34%。此产物的数据传输速率为每秒 2.4Gb，号称比上一代的速率快 50%，而且改善了约 20% 的读写性能。

SK 海力士示意，设计在完成智能手机客户公司的验证后，首先向移动端产物供应 238 层 NAND 闪存，随后将其适用局限扩大到基于 PCIe 5.0 的 PC 固态硬盘（SSD）和数据中央级高容量固态硬盘产物等。

SK 海力士在 2018 年研发的 96 层 NAND 闪存就导入了 4D 方式，接纳电荷捕捉型手艺 (CTF，Charge Trap Flash) 和 PUC（Peri. Under Cell）手艺。相比 3D 方式，4D 架构号称具有单元面积更小、生产效率更高的优点。

据DigiTimes报道，三星准备明年最先生产第9代V-NAND手艺的产物，将跨越300层，继续沿用双客栈架构。

所谓双客栈架构，即在300mm晶圆上先生产一个3D NAND闪存客栈，然后在原有基础上再构建另一个客栈。跨越300层的第9代V-NAND手艺将提高300mm晶圆生产的存储密度，使得制造商能够生产更低成本的固态硬盘，或者让相同存储密度及性能的固态硬盘变得更廉价。据领会，三星为了保证产量，可能会在第10代V-NAND手艺上引入三客栈架构，层数将到达430层。这意味着会增添原质料的使用量，并增添每个3D NAND晶圆的成本。去年三星在“Samsung Tech Day 2022”上提出的耐久愿景是，到2030年会将层数提高至1000层。

03 本是同根生

三星和SK海力士看似打的不能开交，实在也是“一根绳上的蚂蚱”，本质同根生。

无论是三星照样SK海力士对于中国市场的依赖水平都很高，而且有不少芯片产能都放在中国大陆。三星和SK海力士在中国无锡、青岛等地都拥有芯片工厂，凭证相关数据统计显示，三星和SK海力士有近半的芯片产能都在中国大陆，不仅云云中国市场也是三星和SK海力士最主要的外洋市场之一。

然而美国的“限制”让三星和海力士苦不堪言。三星和SK海力士在中国市场上的出货也受到了限制。例云云前美光被中国相关部门部门禁售的时刻，三星和SK海力士就曾被美国要求不得扩大市场份额。

就在前不久，三星和SK海力士被拜登列入到最终验证名单当中，获得了所谓的*宽免权。其在中国大陆的工厂将可以从美装备厂商处获得装备，而且芯片出货的限制在一定水平上也被铺开。这件事不仅让人们意识到三星和SK海力士本就是一根绳上的蚂蚱，更是应该同心协力脱节外部障碍的*同伴。

为了促进存储回暖，三星电子和SK海力士宣布对DRAM和NAND闪存芯片涨价10%-20%。供应商为了缓解亏损，最先降低产能和投资，削减供应量。这样一来，供需关系逐步改善，存储芯片的价钱也泛起了止跌回升的迹象。